该设备包括带有弯曲条纹的“C型”增益芯片。条纹倾斜的刻面专为外部反馈而设计,并具有深层 AR 涂层,从而使芯片波导的背反射极低。它确保了自激的阻断,并消除了在外腔系统中操作时与复合腔相关的问题。这导致在整个调谐范围内具有高边模抑制比 (SMSR) 的非常精细的谱线。具有垂直条纹的刻面具有适当的反射率(通常在 5-15% 的范围内),以同时提供宽波长调谐和高输出功率。标准器件中这一方面的反射针对在外腔设置中的操作进行了优化,该设置为芯片提供了有效的反馈(约 50%)(如图所示)。对于反馈较低的方案,我们建议使用在刻面上具有不同涂层的定制设备,以提供优化的反射。
设计外腔的技巧:
建议使用闪耀光栅,以尽量减少对其他反射阶数的损耗;
对于与凹槽正交的偏振效率较高的光栅,建议使用λ/2板,以实现高波长分辨率和最佳反射效率的结合。
注意:工作波长、刻面反射和其他参数可以针对特定应用和外腔系统设计进行优化。 我们知识渊博的应用团队随时准备根据您的需求和应用就最佳解决方案提供咨询和建议。 请联系我们获取定制解决方案。
新版本:光纤耦合
型号 | 最大功率波长 | 可调范围 | 最大输出功率 | 中心波长 | 正向电流 | 慢轴发射角 | 快轴发散角 | 芯片长度 | Datasheet |
nm | nm | mW | nm | mA | deg | deg | mm | ||
GMB1060150YY250MXXXX | 1100 | 150 | 250 | 1060 | 600 | 6.5 | 16 | 3 | |
GMB1140120YY130MXXXX | 1170 | 120 | 130 | 1140 | 600 | 6 | 39 | 3 | |
GMB1220080YY140MXXXX | 1240 | 80 | 140 | 1220 | 800 | 7 | 35 | 3 |
MODEL | 中心波长 | 可调范围 | 最大功率波长 | 尾纤端输出功率 | 快轴光束发散角 | 慢轴光束发散角 | Ripples(RMS) | 条纹长度 | 工作电流 |
nm | nm | nm | mW | deg | deg | mW | mm | mA | |
GM-1030-130-YY-200 | 1030 | 130 | 1050 | 200 | 19 | 7 | 0.2 | 2.8 | 400 |
GM-1060-150-YY-250 | 1060 | 150 | 1100 | 280 | 16 | 6.5 | 0.1 | 3 | 600 |
GM-1140-120-YY-130 | 1140 | 120 | 1170 | 130 | 39 | 6 | 0.05 | 3 | 600 |
*– @ CW,25℃散热器温度,Littrow 配置中的外腔,反馈 ≈50% 780-1330 nm 范围内的任何定制波长都是可能的。 | |||||||||
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